Filtri IGS avanzati a montaggio superficiale con guarnizione C per sistemi di gas ultrapuri per semiconduttori
Descrizione
I filtri a montaggio superficiale HENGKO sono progettati per soddisfare i rigorosi requisiti dei sistemi di gas integrati utilizzati negli strumenti OEM per semiconduttori. Offrendo una filtrazione leader del settore a 0,003 µm, questi filtri garantiscono prestazioni e affidabilità eccezionali con un'efficienza di intercettazione delle particelle pari o superiore al 99,9999999% (9-LRV) a 120 slpm.
Realizzati in robusto acciaio inossidabile 316L sinterizzato per l'elemento filtrante e l'alloggiamento, questi filtri sono conformi alle specifiche SEMI F86-0304 e presentano componenti a due porte progettati per sistemi di distribuzione del gas da 1,125" con configurazione a guarnizione C. Supportano una pressione di ingresso massima di 3,4 MPa a 100 °C e una differenza di pressione di esercizio massima di 0,69 MPa a 100 °C.
Questi filtri specializzati, compatibili sia con le specifiche di tenuta di tipo C che di tipo W, raggiungono la pulizia a valle con il rilascio di particelle di
Con una finitura superficiale di Ra< 1,6 µm sulla superficie esterna e RaCon una porosità interna inferiore a 0,13 µm, questi filtri sono progettati per resistere ad alte temperature fino a 460 °C. Concepiti per una facile integrazione e per aggiornamenti modulari, semplificano l'installazione e la manutenzione, contribuendo a ottimizzare le prestazioni del sistema nelle applicazioni di distribuzione e controllo dei gas per semiconduttori.
Ingegneria del prodotto
▶ Struttura interamente in acciaio inossidabile 316L
▶ Design miniaturizzato, struttura compatta, salvaspazio
▶ Eccellenti caratteristiche di sostituzione e desorbimento del gas
▶ Resistente alle alte temperature, alle alte pressioni e alla corrosione
▶ Alloggiamento in acciaio inox 316L elettrolucidato
▶ Installazione e manutenzione facili ed efficienti
▶ Tenuta meccanica, strutturalmente non saldata al mezzo
Scheda dati
| Parametri tecnici | Valori |
|---|---|
| Materiale dell'elemento filtrante | Polvere sinterizzata di acciaio inossidabile 316L |
| Materiale per alloggi | Acciaio inossidabile 316L |
| Pressione massima in ingresso | 3,4 MPa a 100 °C |
| Differenziale operativo massimo | 0,69 MPa a 100 °C |
| Tasso di perdita di elio verificato | 1x10⁻¹¹ cc/min |
| Tasso di perdita del test dell'elio | 1x10⁻⁹ cc/min |
| Trattamento superficiale | Ra della superficie esterna< 1,6 μm |
| Superficie interna Ra< 0,13 μm | |
| Temperatura massima di esercizio | 460 °C |
| Efficienza di intercettazione delle particelle | ≥99,9999999% (9-LRV) a 120 slpm (MPPS di riferimento, tutte le particelle) |
| Pulizia a valle | Rilascio di particelle:< 0,03 particelle/litro (< 1 particella/ft³) |
| Sostanze volatili:< 10 ppb di umidità | |
| Dimensione di intercettazione delle particelle | ≥0,003 μm |
| Gamma di flusso | 0 ~ 120 slpm |
Misurare
Ecco il codice articolo che puoi ordinare e i dettagli sulle dimensioni:
| Modello di prodotto | Portata | Altezza H (mm) | Precisione di filtrazione | Livello di pulizia |
|---|---|---|---|---|
| Z01B-00637 | 10 slpm | 51.6 | 0,003 μm | C |
| Z01B-00638 | 40 slpm | 82,9 | 0,003 μm | C |
| Z01B-00687 | 80 slpm | 126.2 | 0,003 μm | C |
| Z01B-00688 | 120 slpm | 167,9 | 0,003 μm | C |
Applicazioni tipiche
Da utilizzare con i sistemi modulari di erogazione del gas a montaggio superficiale W-seal e C-seal da 1,125" e 1,5".
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